一項新的試點研究顯示，重復經顱磁刺激（rTMS）可改善精神分裂癥患者的認知功能障礙。一項涉及27例精神分裂癥患者的小型隨機對照試驗表明，與接受假治療的患者相比，那些接受左右雙側前額皮層rTMS治療4周的患者的工作記憶任務得分提高較大。此外，研究發(fā)現(xiàn)，得分的提高與一組健康志愿者類似。研究成果發(fā)布在3月15日《生物精神病學》[Biol Psychiatry.2013 Mar 15;73（6）：510-7.]雜志上。

加拿大安大略省多倫多大學精神病學系的首席研究員ZZafiris J. Daskalakis博士和他的同事寫道，"工作記憶代表著一種核心認知區(qū)域，而精神分裂癥恰恰是此區(qū)域受損，且目前尚無理想的治療方法。"

不過，"我們發(fā)現(xiàn)，與假治療組相比，雙側20 HzrTMS治療可顯著改善工作記憶。具體地說，TMS可選擇性改善反應精度，"研究人員寫道。

他們指出，這項研究首次證實該人群出現(xiàn)這種類型的改善。

"雖然以前的研究證實，認知功能修復和藥物輔助治療能帶來小-中等程度的改善，但尚無研究發(fā)現(xiàn)與目前研究可比的巨大影響，"他們寫道。

"此外，沒有研究證明，在治療干預下，記憶功能能正?；浇】祩€體水平。"

正如之前Medscape醫(yī)學新聞所說，TMS已被證明對抑郁癥以及與阿爾茨海默病有關的語言障礙有效。

精神分裂癥患者的工作記憶，包括語言理解，學習和推理，常常會減弱。

因為以前的研究已經發(fā)現(xiàn)，rTMS治療可提高健康志愿者的工作記憶，因此在目前的這項研究中，研究者試圖評估精神分裂癥患者接受這種治療是否能使記憶功能恢復到健康個體水平。

2007年1月至2010年1月，多倫多大學毒癮與精神健康中心共有27例成年精神分裂癥患者進入研究。

這些受試者中，有13例（平均年齡41.2歲）隨機接受4周20Hz高頻rTMS治療（從左至右或從右至左背外側前額皮層），12例接受安慰劑/假治療（平均年齡49歲）。

治療前后，所有受試者均給予言語工作記憶n-back任務。當受試者判斷1 back或3 back試驗中計算機顯示器上顯示的當前的（電流）刺激是否與之前出現(xiàn)的刺激相符時，n-back即可對工作記憶進行評估。

還采用陽性和陰性癥狀量表（PANSS），陰性癥狀評估量表（SANS）和卡爾加里抑郁量表（CDS）對基線以及沒5次治療后的癥狀嚴重程度進行評估。

此外，對對照組13名健康志愿者（平均年齡41.2歲）進行了評估。

結果表明，與接收假治療組相比，接受積極治療組的3-back精度評分明顯提高，（P = 0.04）。

此外，整體混合模型重復指標顯示，隨著記憶任務難度的增加，rTMS可致評分更高。

雖然完成這項研究的受試者認為rTMS治療的耐受性良好，但有2人因為治療無法耐受而退出。

PANSS,SANS,或CDS的癥狀嚴重程度沒有組間差異，沒有發(fā)現(xiàn)3-back反應改變與患者使用抗精神病藥物之間存在相關。

進一步的分析顯示，rTMS治療組治療前的工作記憶功能評分明顯較健康志愿者差。但是治療后未見組間顯著差異。

"這些預試驗數(shù)據(jù)表明，雙側rTMS治療可能是治療精神分裂癥患者工作記憶障礙的一種新型，有效，安全療法，"研究人員寫道。

他們指出，現(xiàn)在需要進行更多的研究來重復這些調查結果（及可重復性）并對工作記憶改善的機制進行研究。

不過，這些結果"為治療工作記憶障礙帶來了一種引人注目的療法。這些結果的意義相當大。"